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電子與信息工程學(xué)院張齊艷、黃雙武及其合作者在自然指數(shù)期刊《Nature Communications》發(fā)表關(guān)于高溫薄膜電容的研究論文

來源:電子與信息工程學(xué)院 發(fā)布時間:2024-10-31 10:53 點擊數(shù): Views

10月29日,深圳大學(xué)電子與信息工程學(xué)院的張齊艷、黃雙武團隊及其合作者在自然指數(shù)期刊Nature Communications發(fā)表了題為“Scalable all polymer dielectrics with self-assembled nanoscale multiboundary exhibiting superior high temperature capacitive performance”的學(xué)術(shù)論文。該論文介紹了一種全聚合物納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)材料,該材料基于多尺度納米界面結(jié)構(gòu)有效抑制高溫下的漏電流,從而實現(xiàn)了優(yōu)異的高溫電容儲能性能。深圳大學(xué)為該研究的第一完成單位,論文的第一作者是電子與信息工程學(xué)院助理教授張齊艷,教授黃雙武為共同通訊作者。

薄膜電容器由夾在金屬電極之間的聚合物電介質(zhì)薄膜組成,具有功率密度高、充放電速度快、耐高電壓能力強等優(yōu)點,在現(xiàn)代電子設(shè)備和電力系統(tǒng)中占據(jù)重要地位。然而,聚合物電介質(zhì)材料的工作溫度相對較低,這使得它們在電動汽車、航空航天電力電子以及地下油氣勘探等應(yīng)用中,無法滿足140 ℃以上的苛刻溫度條件下的穩(wěn)定運行需求。例如,目前市場上最優(yōu)質(zhì)的電容器薄膜——雙向拉伸聚丙烯(BOPP),只能在105 ℃以下正常工作。當溫度超過85 ℃時,BOPP薄膜電容的性能和使用壽命會急劇下降,因此需要承受30-50%的電壓降額。

圖1. 全聚合物納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)材料的制備及微觀結(jié)構(gòu)表征。

本研究采用聚合誘導(dǎo)微相分離(PIMS)策略,成功制備了高溫全聚合物納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)材料(PNDs),該材料具有良好的可擴展性和低成本優(yōu)勢?;诟卟AЩD(zhuǎn)變溫度(Tg)的工程聚合物與熱固性樹脂單體在聚合交聯(lián)過程中自組裝形成的納米結(jié)構(gòu)多尺度界面,有效抑制了高溫下電流的產(chǎn)生和輸運,進而使得制備的PNDs展現(xiàn)出優(yōu)異的高溫電容性能。具體而言,聚醚酰亞胺(PEI)被選為高Tg工程聚合物,其高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg ≈ 217 ℃)及良好的加工性為其在高溫薄膜電容器中的商業(yè)應(yīng)用提供了良好前景。選用的商用雙馬來酰亞胺(BMI)單體(2,2-bis-4-(4-馬來酰亞胺-苯氧基)苯基丙烷)具有較大的帶隙(Eg ≈ 5.74 eV)和低的電子親和能(χ = 0.60 eV),因此能在與PEI接觸時形成較高的電子注入屏障。此外,由于BMI和PEI分子結(jié)構(gòu)中均含有雙酚A和酰亞胺基團,使得二者具備良好的相容性。實驗結(jié)果表明,自組裝的納米尺度多界面結(jié)構(gòu)有效抑制了電荷的注入與激發(fā)。在高溫和強電場條件下,漏電流密度降低了一個數(shù)量級以上,而在150 ℃的高溫下,擊穿場強提升了30%,顯著優(yōu)于純PEI。該全聚合物納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)材料在150 ℃下實現(xiàn)了7.1 J/cm3的放電能量密度和90%的充放電效率,超越了現(xiàn)有的聚合物電介質(zhì),并且其放電能量密度相比純PEI提高了超過兩倍。此外,與文獻中報道的方法相比,本研究的薄膜加工過程更為簡單、直接且成本低廉,為高性能、高質(zhì)量電容薄膜的大規(guī)模生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。

圖2. 全聚合物納米結(jié)構(gòu)電介質(zhì)的高溫電容儲能性能。

項目支持:該研究得到了國家自然科學(xué)基金和深圳市科技創(chuàng)新計劃項目的資助。

論文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41467-024-53674-8