近年來(lái)，硒化銻(Sb2Se3)憑借原材料綠色低毒、價(jià)格低廉、一維獨(dú)特結(jié)構(gòu)貢獻(xiàn)良性晶界、二元單相組成易于制備、理想帶隙匹配高吸光系數(shù)、優(yōu)異的載流子遷移率及介電常數(shù)等優(yōu)勢(shì)，在新型高效低成本薄膜太陽(yáng)電池研究領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。盡管Sb2Se3薄膜太陽(yáng)電池在環(huán)境友好方面具有優(yōu)勝之處，但和CIGS薄膜太陽(yáng)電池性能相比還有很大差距，整體表現(xiàn)為電池開(kāi)路電壓虧損偏高。
近日，深圳大學(xué)物理與光電工程學(xué)院范平教授團(tuán)隊(duì)梁廣興研究員在新型硒化銻薄膜太陽(yáng)電池研究中獲得重要進(jìn)展，在國(guó)際材料和物理應(yīng)用領(lǐng)域頂級(jí)期刊Advanced Materials（影響因子：32.086）上發(fā)表了題為“Heterojunction Annealing Enabling Record Open-Circuit Voltage in Antimony Triselenide Solar Cells”的研究論文。該論文采用與產(chǎn)業(yè)兼容性高的真空濺射結(jié)合硒化熱處理生長(zhǎng)高質(zhì)量光吸收層Sb2Se3薄膜并構(gòu)建Mo/ Sb2Se3/CdS/ITO/Ag平面異質(zhì)結(jié)薄膜太陽(yáng)電池，對(duì)Sb2Se3/CdS異質(zhì)結(jié)進(jìn)行快速熱處理，實(shí)現(xiàn)元素有益擴(kuò)散，材料摻雜濃度明顯提高、優(yōu)化Spike-like能帶匹配、有效鈍化界面缺陷和非輻射復(fù)合得到抑制，最終硒化銻薄膜太陽(yáng)電池開(kāi)路電壓突破500 mV至520 mV且光電轉(zhuǎn)化效率提升至8.64%。梁廣興研究員為論文的通訊作者，唐戎副研究員和陳爍副研究員為論文的共同第一作者，深圳大學(xué)為唯一通訊單位。
硒化銻薄膜太陽(yáng)電池異質(zhì)結(jié)調(diào)控和性能優(yōu)化
項(xiàng)目支持：感謝國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，廣東省教育廳重點(diǎn)項(xiàng)目，廣東省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，深圳市自由探索項(xiàng)目和深圳大學(xué)荔園優(yōu)青項(xiàng)目支持。
文章鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adma.202109078
（物理與光電工程學(xué)院 供稿）
