近日，深圳大學(xué)材料學(xué)院青年教師劉新科博士在氮化鎵功率器件(AlGaN/GaN MOS-HEMTs)研究領(lǐng)域取得創(chuàng)新結(jié)果，并在Nature出版集團旗下的《Scientific Reports》(IF:5.578)上發(fā)表了題為《AlGaN/GaN Metal-OxideSemiconductor High-ElectronMobility Transistor with Polarized P(VDF-TrFE) Ferroelectric Polymer Gating》的文章（DOi: 10.1038/srep14092）。深圳大學(xué)是第一單位，劉新科為第一作者，深圳大學(xué)呂有明教授和陳少軍副教授為通信作者。

    論文內(nèi)容包含AlGaN/GaN MOS-HEMTs功率器件，高分子鐵電材料Polarized P(VDF-TrFE),以及材料表征和功率器件模擬，是一篇跨學(xué)科的工作。通過采用極化的高分子鐵電材料Polarized P(VDF-TrFE)來改變器件的導(dǎo)通電阻或寄生電阻，可以降低器件的靜態(tài)功耗。AlGaN/GaN MOS-HEMTs是第三代半導(dǎo)體電力電子器件的典型代表，將來可用于電力電子市場，較低的導(dǎo)通電阻可以有效降低在電力轉(zhuǎn)化系統(tǒng)(DC/DC, DC/AC,AC/AC)的功耗。 

    該研究得到了國家自然科學(xué)基金項目等資助。

    Scientific Reports 是來自 Nature 雜志集團出版的一個發(fā)表原始研究工作的刊物，在線出版，公開訪問，內(nèi)容涉及自然科學(xué)所有領(lǐng)域。

        （劉新科博士和呂有明教授聯(lián)合招收博士后和碩士研究生   xkliu@szu.edu.cn ，http://cmse.szu.edu.cn) 。